Перннинг вафер је кључни корак у производњи полуводича, а њена главна сврха је да испуни захтеве перформанси чипа, паковања, расипације топлоте итд.
Садржај
Дебљина силицијума
Предности након печања вафла
Поступак тањира
Вафер Тарнинг Тецхнологи
1. Дебљина силицијума
У предњем делу производње полуводича, вафли мора имати довољну дебљину да испуни захтеве механичке чврстоће и ратове, тако да се може руковати и пренети унутар и између уређаја.
150 мм (6- инча) вафло
Стандардна дебљина: око 675 микрона
Опсег: обично између 650 микрона и 700 микрона
200мм (8- инча) вафар
Стандардна дебљина: око 725 микрона
Опсег: обично између 700 микрона и 750 микрона
300 мм (12- инча) вафар
Стандардна дебљина: око 775 микрона
Опсег: обично између 750 микрона и 800 микрона
2 Предности печата вафла
У фази амбалаже да би испунили захтеве процеса амбалаже, вафли обично треба разговарати на око 100 ~ 200 микрона. То је зато што је рашчеље вафла може донети следеће предности:
Смањите волумен пакета: разређивачи вафли помажу у постизању минијатуризације амбалаже чипова
Побољшати ефикасност дисипације топлоте: танки вафли су погоднији за екстракцију топлоте са супстрата
Смањите унутрашњи стрес: стањивање може смањити интерни стрес остварен током рада чипа, смањујући на тај начин ризик од пуцања чипа
Побољшати електричне перформансе: танки вафли могу да се натраг златно поплаћују приближно земљишту, оптимизујуће високофреквентне перформансе
Побољшајте принос нареза: Ратни вафли могу смањити јачину обраде током коцкања паковања и избегавање оштећења као што је ивице колапс и угаони колапс
3. Вафер Процес за проређивање
Да би се постигло тањивање печата, обично се користе механичко брушење, хемијски механички полирање (ЦМП) и други процеси.
Специфични процес процеса стањивања укључује прелиминарну припрему, проређивање операција (као што је грубо брушење, фино брушење, полирање, полирање, полирање (као што су прераде (као што су уклањање остатака, мерења равног мерења, инспекција квалитета итд.).
У напредним амбалажним технологијама као што су 2.5Д и 3Д паковање, потребна дебљина чипа може чак и нижа од 30 микрона
4. ВАФЕР ТЕНГИНГ ТЕЦХНОЛОГИ
1. Механичка метода брушења
Механичко брушење је једно од најчешће коришћених метода печате печате, што физичко трење уклања вишак материјала на стражњој страни решетка. Ова метода је обично подељена у две фазе: грубо брушење и фино брушење:
Грубо мљевење: користећи дијамантске или гримиране точкове за смањење прелишта да бисте уклонили велику количину материјала великом брзином
Фино брушење: Коришћење финијих абразива и нижих брзина брушења да бисте додатно прецизирали површину резине и смањили храпавост. Предности механичког брушења су висока ефикасност и брзина, која су погодна за масовну производњу, али могу увести механичку стрес и оштећење површине.
2 Хемијски механички полирање (ЦМП)
ЦМП комбинује двоструке ефекте хемијских јеткања и механичких брушења. Кроз синергистички ефекат хемијске суспензије и јастук за полирање уклања неправилну морфологију на површини резета и постиже високу планарисање. ЦМП може да обезбеди већу тачност контроле и квалитет површине и погодан је за интегрисану производњу кругова са изузетно високим захтевима квалитета површине.
3. влажно јеткање
Мокро јеткање користи течне хемикалије или јеботе за селективно уклањање одређених материјалних слојева на решетку кроз хемијске реакције. Подељен је у изотропно јетковање и анизотропно јетцх. Предности влажног јеткања су високе селективне и фине могућности контроле, које могу постићи тачност прераде нано на површини од линије.
4. суво јеткање
Суво јетковање користи плазме или ионске греде за уклањање материјала и има карактеристике велике прецизности и високе селективности. Погодно је за тањивање вафла који захтева велике прецизне и сложене структуре.
5. ласерски прорјењивач
Технологија ласерских стањивања користи велику густину енергије ласерских снопа за уклањање материјала топлотним или фотохемијским деловањем. Ова метода може постићи локално стањивање и погодна је за фину обраду одређених области.
