Узмимо за пример монокристалну силиконску плочицу од 4-инча:
Као што је приказано изнад:
Оријентација: <100>указује на кристалографску оријентацију силицијумске плочице. Ова оријентација има важан утицај на електронска својства и процес производње уређаја на плочици.
Тип:П (бор) са једним примарним равним значи да је плочица силицијум П-типа, односно да је допирана бором да би се створиле сувишне рупе. "један примарни стан" се односи на облик ивице плочице, који помаже да се идентификује смер кристалне решетке.
Отпор:1-10 Ом-цм је отпорност плочице.
оцена:Приме / ЦЗ Виргин указује на квалитет и чистоћу силиконске плочице. "Приме" је највишег квалитета и користи се за апликације високе прецизности; „ЦЗ“ се односи на монокристалне силиконске плочице произведене ЦЗ методом.
премаз:Нема, природни оксид само значи да на површини плочице нема додатног слоја филма, већ само природно формиран слој силицијум диоксида.
дебљина:525 µм (+/- 20 µм) је дебљина плочице, а грешка се контролише унутар плус или минус 20 микрона. Уједначеност дебљине је критична за наредне кораке обраде.
пречник:100 мм одређује пречник плочице.
Варп:<=30µm, the lower the warp, the better the wafer quality.
поклонити се: <=30µm, similar to warping, it is also a measure of wafer flatness.
Главна ивица за позиционирање:32.5 +/- 2.5 мм означава дужину главне ивице за позиционирање плочице, која се користи за лоцирање правца плочице. Неке облатне такође имају секундарне ивице за позиционирање, као што је приказано у наставку:
Храпавост:0.2 - 0.3 нм, полирана једна страна значи да је силицијумска плочица једнополирана силиконска плочица и јединица за храпавост површине је нанометар.
