Колика је дебљина монокристалне силицијумске плочице?

Са унапређењем сарадње у индустријском ланцу, процес проређивања се убрзава. Дебљина силицијумских плочица има утицај на аутоматизацију, принос и ефикасност конверзије ћелија и треба да одговара потребама произвођача ћелија и модула на нижем току. Дакле, проређивање више зависи од сарадње и унапређења свих карика у индустријском ланцу.
У 2020. години, просечна дебљина поликристалних силицијумских плочица је 180 μм, просечна дебљина монокристалних силицијумских плочица П типа је око 175 μм, просечна дебљина силиконских плочица Н типа је 168 μм, просечна дебљина силиконских плочица Н типа ваферс за ТОПЦон ћелије је 175 μм, а просечна дебљина силицијумских плочица за ћелије хетероспојнице око 150 μм.
1. П-тип монокристалне силицијумске плочице: Танке резове имају више чворова као што су 350 μм, 250 μм, 220 μм, 200 μм и 180 μм, а очекује се да ће достићи 170 μм 2021. {{ Технологија танких резова од 9}} μм је сазрео и очекује се да ће достићи 160 μм 2025. године.
2. Монокристалне силицијумске плочице Н-типа: У поређењу са силиконским плочицама П-типа, силиконске плочице Н-типа је лакше постићи стањивање. Очекује се да ће достићи 160-165 μм 2021. Тренутно је доступна 120-140 μм вафер технологија, а очекује се да ће дугорочно достићи 100-120 μм.
3. Н-тип монокристалне силицијумске плочице за хетероспојне ћелије: ХЈТ је најповољнија ћелијска структура и процес за разређивање, и има природне предности у стањивању. Разлози су:
(1) Симетрична структура, ниска температура или процес без стреса може се прилагодити тањим силиконским плочицама.
(2) На ефикасност конверзије не утиче дебљина. Чак и ако се дебљина смањи на око 100 μм, у зависности од ултра-ниске површинске рекомбинације, губитак струје кратког споја Исц може се компензовати напоном отвореног кола Воц.
Према релевантним предвиђањима, дебљина хетероспојних силицијумских плочица Н-типа ће достићи 140, 130 и 120 μм 2024, 2027. и 2030. године, а теоријска граница стањивања може досећи испод 100 μм.